Berita Terbaru Toshiba Mulai Pengiriman Sampel Uji MOSFET SiC 1200V Bare Die dengan On-Resistance Rendah dan Keandalan Tinggi Untuk Penggunaan di Inverter Traksi Otomotif
Jakarta Pusat
Kawasaki, Jepang--(ANTARA/Business Wire)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah mengembangkan "X5M007E120," yaitu MOSFET silikon karbida (SiC) 1200V bare die[1] untuk inverter traksi otomotif[2] dengan struktur inovatif yang menghasilkan On-resistance rendah dan keandalan tinggi. Sampel uji sedang dikirim untuk dievaluasi pelanggan.
Keandalan MOSFET SiC yang khas akan menurun karena peningkatan On-resistance bila dioda badannya diberi energi bipolar[3] selama pengoperasian konduksi terbalik[4]. MOSFET SiC Toshiba mengatasi masalah ini melalui struktur perangkat yang menanamkan dioda pelindung Schottky (SBD) ke dalam MOSFET untuk menonaktifkan dioda badan, tapi penempatan SBD pada chip mengurangi area yang tersedia untuk saluran yang menentukan resistansi On-operation MOSFET dan meningkatkan On-operation chip. - Reposted by : PRIKOM Privat Komputer Bandung.
Keandalan MOSFET SiC yang khas akan menurun karena peningkatan On-resistance bila dioda badannya diberi energi bipolar[3] selama pengoperasian konduksi terbalik[4]. MOSFET SiC Toshiba mengatasi masalah ini melalui struktur perangkat yang menanamkan dioda pelindung Schottky (SBD) ke dalam MOSFET untuk menonaktifkan dioda badan, tapi penempatan SBD pada chip mengurangi area yang tersedia untuk saluran yang menentukan resistansi On-operation MOSFET dan meningkatkan On-operation chip. - Reposted by : PRIKOM Privat Komputer Bandung.
Kontak
Antaranews.com
Kunjungi / Hubungi